Beskrivelse
Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 – SSD – krypteret – 2 TB – intern – M.2 2280 – PCI Express 5.0 x4 (NVMe) – 256-bit AES – TCG Opal Encryption 2.0 – sort
Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 leverer ydeevne med en lagerkapacitet på 2 TB. Ved hjælp af Samsung V-NAND TLC-teknologi og Intelligent TurboWrite 2.0-teknologi sikrer dette interne solid state-drev højhastighedsdataoverførsler med interne datahastigheder på op til 14.700 MBps for læseoperationer og 13.400 MBps for skriveoperationer. M.2 2280-formfaktoren gør det til et kompakt valg til forskellige enheder, hvilket forbedrer systemets samlede reaktionsevne. Drevet er designet til pålidelighed og har en robust integreret kølelegeme og understøtter TRIM sammen med Auto Garbage Collection Algorithms, som hjælper med at opretholde optimal ydeevne over tid. Med overholdelse af NVMe 2.0 og en PCI Express 5.0 x4-grænseflade er denne SSD velegnet til tunge opgaver. Enhedens tolerance over for stød og vibrationer sikrer holdbarhed, mens hardwarekrypteringen giver datasikkerhed for følsomme oplysninger.
Høj lagerkapacitetMed 2 TB lagerplads kan denne SSD rumme store filer og programmer, hvilket gør den ideel til gamere, indholdsskabere og professionelle, der har brug for masser af plads.
Hurtige dataoverførselshastighederMed interne datahastigheder på 14.700 MBps for læseoperationer og 13.400 MBps for skriveoperationer fremskynder denne SSD filoverførsler og indlæsningstider.
Avanceret termisk styringDen integrerede kølelegeme afleder effektivt varmen, hvilket sikrer stabil ydelse under intensive opgaver og forlænger drevets levetid.
Forbedret datasikkerhedDenne SSD er udstyret med 256-bit AES-hardwarekryptering, der giver sikkerhed for følsomme filer og overholder TCG Opal Encryption 2.0.
Holdbart designDenne SSD er bygget til at modstå stød på op til 1500 g og har en pålidelighedsvurdering på 1,5 millioner timer MTBF, hvilket sikrer lang levetid og pålidelighed i forskellige miljøer.
GenereltBredde: 22.15 mm
Dybde: 80.15 mm
Egenskaber: TRIM support
Auto Garbage Collection Algorithm
Device Sleep support
Samsung V-NAND TLC Technology
integreret kølelegeme
Intelligent TurboWrite 2.0 Technology
PlayStation-kompatibel
NVMe 2.0
S.M.A.R.T.
Enhedstype: Solid state-drev – intern
Grænseflade: PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Hardware kryptering: Ja
Højde: 2.38 mm
Kapacitet: 2 TB
Krypterings algoritme: 256-bit AES
Model: M.2 2280
NAND Flashhukommelses-type: Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Vægt: 9 g
PræstationIntern datahastighed: 14700 MBps (læs) / 13400 MBps (skriv)
Maksimal 4 KB tilfældig læsning: 1850000 IOPS
Maximum 4KB Random Write: 2600000 IOPS
SSD-udholdenhed: 1200 TB
DriftssikkerhedMTBF (forventet tid mellem fejl): 1.500.000 timer
Ekspansion og forbindelseKompatibel bås: M.2 2280
EffektStrømforbrug: 8.1 Watt (læs) | 7.9 Watt (skriv) | 4.8 Watt (ledig) | 4 mW (sov)
Programmer & SystemkravMed software: Samsung Magician Software
DiverseFås i farverne: Sort
Overensstemmelsesstandarder: IEEE 1667
Pakkedetaljer: Boks
ProducentgarantiService & Support: Begrænset garanti – 5 år/1200 TBW
Miljømæssige parametreFugtighedsgrad ved brug: 5 – 95 % (ikke-kondenserende)
Maks. driftstemperatur: 70 °C
Maks. Opbevaringstemperatur: 85 °C
Min. driftstemperatur: 0 °C
Min. lagertemperatur: -40 °C
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ): 1500 g @ 0,5 ms halv-sinus
Vibration tolerance (non-operativ): 20 g @ 20-2000 Hz
