Beskrivelse
Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 – SSD – krypteret – 4 TB – intern – M.2 2280 – PCI Express 5.0 x4 (NVMe) – 256-bit AES – TCG Opal Encryption 2.0 – sort
Samsung 9100 PRO solid state-drev har en kapacitet på 4 TB og er designet til at forbedre computerens ydeevne med hurtig filadgang og lagring. Den fungerer inden for et temperaturområde på 0 °C til 70 °C og sikrer pålidelig ydeevne under forskellige forhold. PCI Express 5.0 x4 (NVMe)-interfacet kombineret med Samsungs intelligente TurboWrite 2.0-teknologi øger læse- og skrivehastighederne og når interne datahastigheder på op til henholdsvis 14.800 MBps og 13.400 MBps. Den integrerede kølelegeme opretholder optimale driftstemperaturer, hvilket giver mulighed for vedvarende ydelse selv under krævende opgaver. Derudover indeholder drevet funktioner som TRIM-understøttelse og Auto Garbage Collection Algorithm, der sikrer lang levetid og opretholder hastigheden over tid. Med en robust udholdenhedsvurdering på 2.400 TB er Samsung 9100 PRO bygget til at håndtere intensive arbejdsbelastninger og samtidig bevare dataintegriteten. 256-bit AES-hardwarekryptering giver ekstra sikkerhed for følsomme oplysninger, hvilket gør denne SSD til et valg for professionelle og gamere.
Høj ydeevneSamsung 9100 PRO leverer hastighed med interne datahastigheder på 14.800 MBps til læsning og 13.400 MBps til skrivning, hvilket sikrer hurtig adgang til store filer og forbedret systemrespons.
Robust udholdenhedMed en nominel udholdenhed på 2.400 TB er denne SSD designet til at modstå kraftig brug, hvilket gør den velegnet til krævende applikationer og miljøer.
Effektiv termisk styringSamsung 9100 PRO er udstyret med et integreret kølelegeme, der opretholder optimale temperaturer under drift for at forhindre overophedning og opretholde ydeevnen.
Avancerede sikkerhedsfunktionerMed 256-bit AES-hardwarekryptering og understøttelse af TCG Opal Encryption 2.0 sikrer denne SSD databeskyttelse og privatlivets fred for brugere, der håndterer følsomme oplysninger.
Pålideligt temperaturområde for driftDette solid state-drev fungerer effektivt mellem 0 °C og 70 °C, hvilket gør det velegnet til forskellige miljøer og sikrer ensartet ydeevne under temperatursvingninger.
GenereltBredde: 22.15 mm
Dybde: 80.15 mm
Egenskaber: TRIM support
Auto Garbage Collection Algorithm
Device Sleep support
Samsung V-NAND TLC Technology
integreret kølelegeme
Intelligent TurboWrite 2.0 Technology
PlayStation-kompatibel
NVMe 2.0
S.M.A.R.T.
Enhedstype: Solid state-drev – intern
Grænseflade: PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Hardware kryptering: Ja
Højde: 2.38 mm
Kapacitet: 4 TB
Krypterings algoritme: 256-bit AES
Model: M.2 2280
NAND Flashhukommelses-type: Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Vægt: 9 g
PræstationIntern datahastighed: 14800 MBps (læs) / 13400 MBps (skriv)
Maksimal 4 KB tilfældig læsning: 2200000 IOPS
Maximum 4KB Random Write: 2600000 IOPS
SSD-udholdenhed: 2400 TB
DriftssikkerhedMTBF (forventet tid mellem fejl): 1.500.000 timer
Ekspansion og forbindelseKompatibel bås: M.2 2280
EffektStrømforbrug: 9 Watt (læs) | 8.2 Watt (skriv) | 6.5 Watt (ledig) | 5.7 mW (sov)
Programmer & SystemkravMed software: Samsung Magician Software
DiverseFås i farverne: Sort
Overensstemmelsesstandarder: IEEE 1667
Pakkedetaljer: Boks
ProducentgarantiService & Support: Begrænset garanti – 5 år / 2400 TBW
Miljømæssige parametreFugtighedsgrad ved brug: 5 – 95 % (ikke-kondenserende)
Maks. driftstemperatur: 70 °C
Maks. Opbevaringstemperatur: 85 °C
Min. driftstemperatur: 0 °C
Min. lagertemperatur: -40 °C
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ): 1500 g @ 0,5 ms halv-sinus
Vibration tolerance (non-operativ): 20 g @ 20-2000 Hz
